ion-beam milling

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• ion-beam milling — jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam etching; ion beam milling vok. Ionenstrahlätzen, n rus. ионно лучевое травление, n; ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau ionique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ion-beam etching — jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam etching; ion beam milling vok. Ionenstrahlätzen, n rus. ионно лучевое травление, n; ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau ionique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ion beam — An ion beam is a type of particle beam consisting of ions. Ion beams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries. Today s ion beam sources are typically derived from the mercury vapor thrusters… …   Wikipedia

• Focused ion beam — Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor and materials science fields for site specific analysis, deposition, and ablation of materials. The FIB is a scientific instrument that resembles a… …   Wikipedia

• ion milling — noun The use of a beam of high energy ions to remove material from a surface Syn: ion machining …   Wiktionary

• Optical beam induced current — (OBIC) is a semiconductor analysis technique performed using laser signal injection. The technique uses a scanning laser beam to create electron–hole pairs in a semiconductor sample. This induces a current which may be analyzed to determine the… …   Wikipedia

• Electron microscope — Diagram of a transmission electron microscope A 197 …   Wikipedia

• Scanning electron microscope — These pollen grains taken on an SEM show the characteristic depth of field of SEM micrographs …   Wikipedia

• RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

• Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

• Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen …   Deutsch Wikipedia